Обзор оперативной памяти

Обзор оперативной памяти

Постоянное развитие и улучшение компьютерных технологий заставляет большие компании постоянно поддерживать уровень конкуренции и тем самым регулярно изобретать новые комплектующие для компьютеров и ноутбуков, как и ямобур. Это касается, в первую очередь, деталей, повышающих производительность систем, например, процессоров, графических и звуковых карт, плат оперативной памяти и т. п. Так на смену еще не полностью испробованной широкими массами пользователей памяти DDR 3 разработчики готовы представить модули линейку DDR 4.

Тип этой памяти SDRAM, что отличает возможностью работы модуля на более низком напряжении и способностью обрабатывания более высоких частот. Частотный диапазон устройств составляет 2133-4266 МГц. Компанией Самсунг эти девайсы уже были анонсированы на одной из выставок компьютерных новшеств. Их частота составляла 2133 МГц при используемом напряжении всего в 1В. Специалистами организации IHS-iSuppli этому типу памяти пророчится довольно радужная перспектива. Так по их мнению, рынок будет наполнен устройствами DDR 4 наполовину уже к 2015-ому году.

Технология изготовления этих блоков памяти подразумевает применение 32-нм и 36-нм процессов. Впервые представленная такая плата была изготовлена по техпроцессу в 30-нм, а ее объем составлял 2 Гб. На стенде данную плату могли привести в действие напряжением 1В. Подобный модуль был разработан и представлен несколько позже и другими разработчиками – компанией Hynix. У этого устройства частота составляла 2,4 МГц, что несколько больше дебютанта Самсунга. По предварительным подсчетам разработчиков этой фирмы увеличение производительности систем, работающих на планках DDR 4, увеличится до 80%, что является весьма внушительным показателем. Ожидаемые пропускные способности этих плат при частотах 2133 МГц и 4266 МГц будут составлять 16,66 Гб/с и 33,3 Гб/с соответственно.


Карта сайта


Информационный сайт Webavtocat.ru